代理MOS管 Si2300DS SOT-23 印记AOSHB N网上 3.8A/20V

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      品牌 lsemi 型号 si2300DS SOT-23 封装 SOT-23
      批号 18+ FET类型 沟槽MOSFET 漏源网上(Vdss) 20V
      漏极电流(Id) 3.8A 漏源导通电阻(RDS On) 45mΩ 栅源网上(Vgs) ±10V
      栅极电荷(Qg) 17nC 反向恢复时间 32ns 最大耗散功率 1250(mW)
      配置类型 SMD 工作温度范围 -55 to 150℃ 安装类型 代理式
      应用领域 安防设备,家用电器,3C数码,智能家居,照明电子,测量仪器,医疗电子,可穿戴设备,物联网IoT,汽车电子,新能源,网络通信 是否跨境货源 导电方式 增强型
      网上类型 N网上

      MOSFET场效应管(晶体管) 

      产品描叙:N网上 3.8A/20V 典型值32mΩ

      si2300DS SOT-23 未税单价115元/K,含16%增值税发票加12个点.

       

      产品印记:AOSHB

      类型Channel:N网上

      漏源反向网上VDS:20V

      漏极电流ID:3.8A

      耗散功率PD:1.25W

      栅源反向网上VGS±10V

      栅极开启网上VGS(th):0.55-1V

      虑源导通电阻RDS(on) Max:VGS=4.5V ID=5A 40mΩ  VGS=2.5V ID=4A 60mΩ

      输入电容Ciss(Typ):888pF

      品 牌:lsemi

      环保说明:符合ROHS REACH 环保标准

      最小包装:3K/盘/45K/盒/180K/箱

       

      app全新环保产品,品质保证!可免费提供样品测试及全方位专业技术支持!如有特殊参数要求可定制,可开13%增值税发票,欢迎来电咨询!

       

       

      余井斌-销售经理

      —————————————————————

      深圳市手机半导体有限公司

       

       

      地址:深圳市龙华新区和平西路龙胜商业大厦4楼K区

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      深圳市手机半导体有限公司
      余井斌
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      广东省 深圳市 宝安区 龙华和平西路龙胜商业大厦4楼K区
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